EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 μH 510mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 6.1MHz, Tiefe: 5mm, Abmessungen: 5.6 x 5 x 5mm, Gleichstromwiderstand max.: 990mΩ, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82442T1104K050
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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 μH 510mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 6.1MHz
Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 μH 510mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 6.1MHz | |
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