Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8
About The Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,185 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8
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Specifications of Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8 | |
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