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Infineon OptiMOS 5 ISZ0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The : 2.: 0,0115 O, 0,0155 O

Infineon OptiMOS 5 ISZ0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0115 O, 0,0155 O., Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 5 ISZ0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 ISZ0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Infineon OptiMOS 5 ISZ0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 58 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Infineon OptiMOS 5 ISC0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Infineon OptiMOS 5 ISC0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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    • Amphenol connector,metal circ,box recept,size 22,2#12,4#16 solder socket cont,clear fin, MPN: 97-3102A-22-5S(639)

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    • HARTING Han HPR Schutzabdeckung für Stromversorgungssteckverbinder in robuster Ausführung, Reihe: Han 6HBR, MPN: 09400065411

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    HARTING Han HPR Schutzabdeckung für Stromversorgungssteckverbinder in robuster Ausführung.

    • KEMET, X FT-CAP VW 80808 MLCC, Vielschicht Keramikkondensator, 220nF, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200, Länge: 3.3 +/-0.4mm, Tiefe: 0.9 +/-0.20mm, MPN: C1206X224K5RAC3316
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