Infineon HEXFET IRL40SC228 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 557 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon HEXFET IRL40SC228 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 557 A, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon HEXFET IRL40SC228 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 557 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
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