Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0215 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V
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Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual
Specifications of Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual | |
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