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Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247

About The 5V.: 4

Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247

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Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247
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Bulgin Tafelmontage Wippschalter Ein-Aus 22.3mm x 27.2mm, Beleuchtet: Nein, MPN: C1353AHNAB
    • Bulgin Schalttafel-Anzeigelampe, Montage-Ø 10mm, Versorgungsspannungsbereich: 230 V, Eingangsspannung AC oder DC: ac, Anschluss-Typ: Anschlusskabel, MPN: C027500MAA
    • RS PRO Ungeschirmt 7/0,2mm PTFE-isoliert Thermoelementleitung für Thermoelement Typ K, L.

    RS PRO Ungeschirmt 7/0,2mm PTFE-isoliert Thermoelementleitung für Thermoelement Typ K, L.

    RS PRO Ungeschirmt 7/0,2mm PTFE-isoliert Thermoelementleitung für Thermoelement Typ K, L.+250°C, Kabelprofil: Flaches Paar, Erfüllte Normen: IEC 25m, max. +250°C. 25m, max.

    • onsemi PowerTrench FDD6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 46 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 55mm, Breite 10mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 7.15kN, Dynamische Traglast: 10.4kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 9 Sehr dünner Querschnitt, Teillagercode: 6907
    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 30mm / Außen-Ø 47mm, Breite 9mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 5kN, Dynamische Traglast: 7.25kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 9 Sehr dünner Querschnitt, Teillagercode: 6906
    • Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
    • Panasonic ERA Metallschicht SMD-Widerstand 14kΩ ±0.1% / 0.125W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA6ARB1402V
    • Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
    • Panasonic ERA Metallschicht SMD-Widerstand 14kΩ ±0.1% / 0.125W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA6ARB1402V