STMicroelectronics MDmesh DM2 STB18N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 290 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 9.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics MDmesh DM2 STB18N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh DM2 STB18N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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