IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 21.34mm, Länge: 16.13mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 KW, 3-Pin PLUS247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 KW, 3-Pin PLUS247 | |
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