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Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 6V.: 0,0109 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0109 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.6V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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