Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0109 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.6V
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Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 42,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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