Vishay SI8489EDB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,8 W, 4-Pin MICRO FOOT, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.268mm, Länge: 1mm
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Vishay SI8489EDB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,8 W, 4-Pin MICRO FOOT
Specifications of Vishay SI8489EDB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,8 W, 4-Pin MICRO FOOT | |
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