ROHM R6524ENJ R6524ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263S
About The : +150 °C.ROHM R6524ENJ R6524ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263S, Drain-Source-Widerstand max
ROHM R6524ENJ R6524ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263S, Drain-Source-Widerstand max.: 185 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6524ENJ R6524ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263S
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Specifications of ROHM R6524ENJ R6524ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263S | |
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