Vishay E SIHB21N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2 → 4V.: 0,205 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Vishay E SIHB21N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,205 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E SIHB21N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Vishay E SIHB21N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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