IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 KW, 3-Pin TO-264
About The : 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max
IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 KW, 3-Pin TO-264
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Specifications of IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 KW, 3-Pin TO-264 | |
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