onsemi PowerTrench FDMS86183 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 12,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMS86183 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMS86183 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |