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Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

About The : 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C

Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

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Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP
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