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STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A

About The STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A, MPN: TN3050HP-12L2Y

STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A, MPN: TN3050HP-12L2Y

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Thyristoren

STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A

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Specifications of STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A

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STMicroelectronics SCR Thyristor 30A HU3PAK 1200V 30A
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M5Stack M5 Core, M5StickC, M5StickV, MPN: U086

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M5Stack M5 Core, M5StickC, M5StickV.

    • Schneider Electric TeSys K Leistungsschütz / 48 V dc Spule, 3 -polig 1 Öffner / 9 A, Umkehrend, Leistung: 4 kW, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: LP2K0901ED
    • Samsung MU-PC2T0, 2,5 Zoll SSD Industrieausführung, V-NAND, 2 TB, SSD, Intern/Extern: Extern, Industrieausführung: Ja, MPN: 10297616
    • Texas Instruments NexFET CSD18533Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Texas Instruments NexFET CSD18533Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C