Vishay TrenchFET SiR450DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0018 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V
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Vishay TrenchFET SiR450DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET SiR450DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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