Infineon HEXFET AUIRLS3036-7P N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 A, 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7
About The : –16 V, +16 V, Länge: 10.: +175 °C
Infineon HEXFET AUIRLS3036-7P N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 A, 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET AUIRLS3036-7P N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 A, 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7
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Specifications of Infineon HEXFET AUIRLS3036-7P N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 A, 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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