Infineon OptiMOS 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0033 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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