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STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6

About The 95mm, Länge: 5.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, Länge: 5.4mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6

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Specifications of STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6

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STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6
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RS PRO Kohleschicht Widerstand 270Ω ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: -500 → +350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C
    • KEMET T527, SMD Polymerkondensator 47μF ±20% / 10V dc, -55°C → +105°C, Kapazität: 47µF, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, Spannung: 10V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse-Form: 3216, Äquivalenter Serienwiderstand: 200mΩ, Länge: 3.2mm, Tiefe: 1.6mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 3.2 x 1.6 x 1mm, Elektrolyt-Typ: Fest, MPN: T527I476M010ATE200
    • 24 mm, Silber, Abmessungen (Außen): 94 x 82 x 24mm, MPN: MXA2-8-9SSP

    24 mm, Silber, Abmessungen (Außen): 94 x 82 x 24mm, MPN: MXA2-8-9SSP

    24 mm, Silber 82 mm, L. 94 mm, H. 94 mm, H.Takachi Electric Industrial Tragbares Gehäuse, Aluminium, B.

    • 3M Zugentlastungsclip für Serie 2500, MPN: 3505-8110

    3M Zugentlastungsclip für Serie 2500, MPN: 3505-8110

    3M Zugentlastungsclip für Serie 2500.

    • Schurter Feinsicherung T / 20A 10 x 38mm 1000V dc Keramik, Betriebsspannung: 1000V dc, Sicherung Standard: EV-Sicherung, MPN: 8020.2052
    • TRACOPOWER TEN 25 DC/DC-Wandler 25W 12 V dc IN, 12V dc OUT / 2.5A 1.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Nennleistung: 25 W, 30W, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: 1.6 x 2 in, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 9.5mm, Länge: 40.6mm, Breite: 50.8mm, Lastausregelung: ±0.5%, MPN: TEN 25-1212
    • STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, Länge: 5.4mm
    • Arcol AP821 Folie induktionsfrei Widerstand 200Ω ±1% / 20W, Gehäuse-Form: TO-220, Betriebstemperatur max.: +150°C, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, Anschlussraster: 5.34mm, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: AP821 200R F 50PPM
    • STMicroelectronics STripFET F7 STL90N6F7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.95mm, Länge: 5.4mm
    • Arcol AP821 Folie induktionsfrei Widerstand 200Ω ±1% / 20W, Gehäuse-Form: TO-220, Betriebstemperatur max.: +150°C, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, Anschlussraster: 5.34mm, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: AP821 200R F 50PPM