Infineon HEXFET IRLL3303PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,5 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 31 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRLL3303PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,5 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon HEXFET IRLL3303PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,5 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223 | |
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