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Onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : –25 V, +25 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max

onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 62mm, Breite 14mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 10.2kN, Dynamische Traglast: 15.9kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 0 Extra leicht, Teillagercode: 6007
    • Wurth Elektronik WCAP-ATG8, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 3900μF ±20% / 16V dc, Ø 16mm x 25mm, +85°C, Kapazität: 3900µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 624 μA, Brummstrom: 2.002A, MPN: 860010380024
    • onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
    • Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    76 X 2.17.Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.

    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 17mm / Außen-Ø 26mm, Breite 5mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 930kN, Dynamische Traglast: 1.68kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 8 Extra dünner Querschnitt, Teillagercode: 6803
    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 10mm / Außen-Ø 19mm, Breite 5mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 585kN, Dynamische Traglast: 1.38kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 8 Extra dünner Querschnitt, Teillagercode: 6800
    • onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • onsemi FQB27P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
    • onsemi FQB34P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • onsemi FQB27P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm