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Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Wera 4 mm Drehmomentschraubendreher, Hex Plus-Antrieb, 5Nm / ±10 %, Länge 160 mm, Typ: Festes Drehmoment, Kalibriert: ISOCAL, MPN: 05027913001 300 Hex 4,0 5,0 NM
    • Allen Bradley Micro 800 LCD-Display mit Tastatur für Serie Micro 810, Betriebstemperatur max.: +55°C, MPN: 2080-LCD
    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 45mm / Außen-Ø 100mm, Breite 25mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 31.5kN, Dynamische Traglast: 52.7kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 3 Mittel, Teillagercode: 6309
    • Infineon 500V CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 4,8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • RS PRO Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 62mm, Breite 14mm, Dichtungsanordnung: Beidseitig abgedichtet, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 10.2kN, Dynamische Traglast: 15.9kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 0 Extra leicht, Teillagercode: 6007
    • Wurth Elektronik WCAP-ATG8, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 3900μF ±20% / 16V dc, Ø 16mm x 25mm, +85°C, Kapazität: 3900µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 624 μA, Brummstrom: 2.002A, MPN: 860010380024
    • onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
    • Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    73 X 4.76 X 2.Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.17.

    • onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
    • Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.76 X 2.17, MPN: PN-1324-C

    76 X 2.Bud NEMA 4X SEALED POLYCARBONATE, LIGHT GRAY BODY, CLEAR COVER, 6.73 X 4.17.