Infineon 500V CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 4,8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 500V CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 4,8 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon 500V CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 4,8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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