Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N04S405ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 86 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N04S405ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 86 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N04S405ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 86 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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