reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: –25 V, +25 V, Länge: 10

STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

More from STMicroelectronics | STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Search

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Category
Instockinstock

Last Updated

STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
More Varieties

Rating :- 9.47 /10
Votes :- 42
Cree LED Cree XLamp ML-E SMD LED Rot, 18,1 lm, 4-Pin PLCC 4 1600mW, Montage Typ: Oberflächenmontage, Linsenform: Quadratisch, Wellenlänge typ.: 630 nm, Linsenfarbe: Klar, MPN: MLERED-A1-0000-000V01
    • Microchip Mikrocontroller PIC12F PIC 8bit SMD 1024 x 14 Wörter, 128 B SOIC 8-Pin 20MHz 64 B RAM, Versorgungsspannnung typ.: 2 → 5,5 V, Abmessungen: 4.9 x 3.9 x 1.5mm, Instruktionssatz-Architektur: RISC, MPN: PIC12F629-I/SN
    • Phoenix Contact Klemmenabdeckung, 1 Streifen deckt bis zu 12 Klemmstellen ab, für ME BUS-Stecker, MPN: 2706700

    Phoenix Contact Klemmenabdeckung, 1 Streifen deckt bis zu 12 Klemmstellen ab, für ME BUS-Stecker, MPN: 2706700

    Phoenix Contact Klemmenabdeckung, 1 Streifen deckt bis zu 12 Klemmstellen ab, für ME BUS-Stecker.

    • JST SHD Crimp-Anschlussklemme für SHD-Steckverbindergehäuse, Buchse, 0.03mm² / 0.08mm², Gold Crimpanschluss, Gender: Female, Minimale Drahtgröße AWG: 32AWG, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Maximale Drahtgröße AWG: 28AWG, MPN: MINI-SSH-003GA-P0.2
    • TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Rollen-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST), MPN: SAJ101XRHLN74SNCPTQ

    TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Rollen-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST), MPN: SAJ101XRHLN74SNCPTQ

    TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Rollen-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST).

    • TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Hebel-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST), MPN: SAJ101XPP0N74SNCPTQ

    TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Hebel-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST), MPN: SAJ101XPP0N74SNCPTQ

    TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Hebel-Betätiger PCB, 0,1 A bei 30 V DC, Einpoliger Ein/Aus-Schalter (SPST).

    • STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • KEMET PHE450 Folienkondensator 10nF ±5% / 1.6 kV dc, 650 V ac, THT Raster 22.5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 26mm, Tiefe: 6.5mm, Höhe: 14.5mm, Abmessungen: 26 x 6.5 x 14.5mm, Dielektrikum: Metallisiertes Polypropylen, Materialfamilie des Dielektrikums: Polypropylen (PP), Anschlussdurchmesser: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, MPN: PHE450RD5100JR06L2
    • STMicroelectronics MDmesh M2 STB6N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • KEMET PHE450 Folienkondensator 10nF ±5% / 1.6 kV dc, 650 V ac, THT Raster 22.5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 26mm, Tiefe: 6.5mm, Höhe: 14.5mm, Abmessungen: 26 x 6.5 x 14.5mm, Dielektrikum: Metallisiertes Polypropylen, Materialfamilie des Dielektrikums: Polypropylen (PP), Anschlussdurchmesser: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, MPN: PHE450RD5100JR06L2