Vishay TrenchFET SIZ256DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 31,8 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S., Drain-Source-Widerstand max.: 0,0176 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V
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Vishay TrenchFET SIZ256DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 31,8 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.
Specifications of Vishay TrenchFET SIZ256DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 31,8 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S. | |
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