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Onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

About The : +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 20 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max

onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 20 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 10 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1 V dc, MPN: NJVMJD44H11T4G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Specifications of Onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin

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Onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
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RS PRO Zeitrelais, Steckanschluss, 1 → 30s, 24V dc, 4 Kont. Einfach, 4-poliger Wechsler

RS PRO Zeitrelais, Steckanschluss, 1 → 30s, 24V dc, 4 Kont. Einfach, 4-poliger Wechsler

8mm, Länge: 53mm, Betriebstemperatur max.: +55°C.RS PRO Zeitrelais, Steckanschluss, 1 → 30s, 24V dc, 4 Kont. Einfach, 4-poliger Wechsler, Versorgungsspannung: 24V dc, Anzahl der Zeitfunktionen: Einschaltverzögerung, Zeitabschnitt: Sekunden, Strom max.

    • onsemi NJW3281G THT, NPN Transistor 250 V / 15 A 1 MHz, TO-3P 3-Pin, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Verlustleistung max.: 200 W, Gleichstromverstärkung min.: 45, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 250 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 15.8 x 5 x 20.1mm
    • FCT from Molex Molex F Sub-D Steckverbinder Buchse, 25-polig / Raster 1.27mm, Kabelmontage IDC, Gehäuseausrichtung: Gerade, Nennstrom: 1.5A, Gehäusematerial: Stahl, Länge: 53.0mm, Breite: 12.5mm, Tiefe: 15.5mm, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Abmessungen: 53 x 12.5 x 15.5mm, MPN: F25S15-K49 / 1727040068
    • FCT from Molex Molex F Sub-D Steckverbinder Buchse, 15-polig, Tafelmontage, Gehäuseausrichtung: Gerade, Nennstrom: 5.0A, Gehäusematerial: Stahl, Länge: 39.1mm, Breite: 6.3mm, Tiefe: 12.5mm, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Abmessungen: 39.1 x 6.3 x 12.5mm, Seriennummer: F15S1, MPN: F15S1G2 / 1731090127
    • Phoenix Contact ZB5.LGS : 111 - 120 Markierstreifen für Anschlussklemmenblock, MPN: 1050017:0111

    Phoenix Contact ZB5.LGS : 111 - 120 Markierstreifen für Anschlussklemmenblock, MPN: 1050017:0111

    LGS : 111 - 120 Markierstreifen für Anschlussklemmenblock.Phoenix Contact ZB5.

    • STMicroelectronics Abwärtswandler 3.5A 10-Pin, Gehäusegröße: 10-DFN, MPN: STEF12SPUR
    • STMicroelectronics Batterie-Backup IC SMD / 18mA, SO16N 64-Pin, Interface: Transceiver-IC, MPN: L9963T-TR
    • onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 20 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 10 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1 V dc, MPN: NJVMJD44H11T4G
    • STMicroelectronics Batterie-Backup IC SMD / 18mA, SO16N 64-Pin, Interface: Transceiver-IC, MPN: L9963T-TR
    • onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 20 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 10 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1 V dc, MPN: NJVMJD44H11T4G