INA Rollenlager Typ Zylindrisch 2-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 40mm

About The INA Rollenlager Typ Zylindrisch 2-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 40mm, Bohrung Typ: Parallel, Statische Traglast: 188000N, Dynamische Traglast: 151000N, End Typ: Offen, Ermüdungsgrenzbelastung: 30500N, MPN: SL185010-A

INA Rollenlager Typ Zylindrisch 2-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 40mm, Bohrung Typ: Parallel, Statische Traglast: 188000N, Dynamische Traglast: 151000N, End Typ: Offen, Ermüdungsgrenzbelastung: 30500N, MPN: SL185010-A

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Lager und Dichtungen > Drehlager- und Gehäuseeinheiten > Nadellager

Microchip 64kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-SPI Interface, PDIP, SOIC, TSSOP, 230ns THT 8K x 8 bit, 8k x 8-Pin, Montage-Typ: Durchsteckmontage, MPN: 25LC640-I/P

Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 25 kA 690V 600V, L. 101.6mm

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Specifications of INA Rollenlager Typ Zylindrisch 2-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 40mm
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Last Updated January 18th, 2025 01:07 am

INA Rollenlager Typ Zylindrisch 2-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 40mm

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Bourns Sicherung, nicht rückstellend 2A 125V ac Keramik HI 6.1mm 2.6mm 2.6mm, Betriebsspannung: 125V ac, Ausschaltvermögen: 300 A @ 32 V dc, 50 A @ 125 V ac, 50 A @ 125 V dc, Minimale Betriebstemperatur: -55°C, Maximale Betriebstemperatur: +125°C, Serie: SF-2410HI-T, Abmessungen: 6.1 x 2.6 x 2.6mm, Widerstand: 50.9mΩ, MPN: SF-2410HI200T-2

Bourns Sicherung, nicht rückstellend 2A 125V ac Keramik HI 6.1mm 2.6mm.6mm 2.

Vishay SI9933CDY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay SI9933CDY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC.

Vishay SI4162DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay SI4162DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC.

INA Lagereinheit aus Gusseisen, Innen-Ø 20mm, 31mm x 94mm, Lagereinheitstyp: Spannlager-Einheit, Tiefe: 89mm, MPN: UCT204-J7

INA Lagereinheit aus Gusseisen, Innen-Ø 20mm, 31mm x 94mm.

Transcend MSA470T-I, mSATA Intern HDD-Festplatte SATA III Industrieausführung, 3D TLC, 128 GB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS128GMSA470T-I

Transcend MSA470T-I, mSATA Intern HDD-Festplatte SATA III Industrieausführung, 3D TLC, 128 GB, SSD.

Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 25 kA 690V 600V, L. 101.6mm

Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 100A / Abschaltvermögen 25 kA 690V 600V, L.