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Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6

Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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RS PRO NC600 SN100E Lötzinn bleifrei 99.5%Sn 0%Pb 0.5%Cu, 228°C, Ø 1.01mm / 250g, Produktform: Draht, Flussmittel Typ: Harzbasiert, Flussmittel Anteil: 3.3%
    • Schneider Electric Bodentank, 8 Fächer 200 mm x 275mm x 70mm, MPN: INS52124

    Schneider Electric Bodentank, 8 Fächer 200 mm x 275mm x 70mm, MPN: INS52124

    Schneider Electric Bodentank, 8 Fächer 200 mm x 275mm x 70mm.

    • Sick Näherungssensor PNP 10 30 V, Kubisch 20 mm, IP68, Sensortechnik: Induktiv, Anschlusstyp: 4-poliger M12-Steckverbinder, Versorgungsspannung: 10 30 V, Länge: 65mm, MPN: 6069283
    • Phoenix Contact MKDSN 2 Printklemme / Buchse, 5-polig / 1-reihig, MPN: 1905706

    Phoenix Contact MKDSN 2 Printklemme / Buchse, 5-polig / 1-reihig, MPN: 1905706

    Phoenix Contact MKDSN 2 Printklemme / Buchse, 5-polig / 1-reihig.

    • TE Connectivity Steckbarer Klemmenblock Header 8-Kontakte 5mm-Raster Vertikal, Anzahl der Reihen: 1, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 16A, Betriebsspannung: 300 V ac, Farbe: Grün, Material: Messing, Tiefe: 8.3mm, Länge: 41.6mm, Breite: 12mm, MPN: 2351885-8
    • STMicroelectronics IGBT / 115 A ±20V max., 650 V 357 W, 3-Pin TO-247, MPN: STGWA75H65DFB2
    • Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP.

    • Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP.

    • Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C