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Onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Votes :- 38
KEMET Flachkabel-Ferrit, Aussenmaß 28 x 7 x 7.7mm / Innen 23.5 x 1.5mm, Typ: Massive Ader, Applikation: Unterhaltungselektronik, Zum Öffnen: Nein, Breite Innen: 23.5mm, Breite Außen: 28mm, MPN: ESD-FPL-7
    • RS PRO Ringmutter M10 Stahl, Einschraubösen-Durchmesser: 25mm, Außendurchmesser: 45mm, Tragfähigkeit: 0.23t, Oberflächenbeschaffenheit: Zinkplattiert
    • Vishay WSR2 Metallstreifen SMD-Widerstand 200mΩ ±1% / 2W ±75ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    Vishay WSR2 Metallstreifen SMD-Widerstand 200mΩ ±1% / 2W ±75ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    : +275°C, MPN: WSR2R2000FEA.: -65°C, Betriebstemperatur max. Gehäuse, Betriebstemperatur min.

    • onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C