Onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2
About The : 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max
onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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