Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.
About The , 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S., Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S., Drain-Source-Widerstand max.: 0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.
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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S. | |
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