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Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

About The Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

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XP Power JTK30 DC/DC-Wandler 30W 48 V dc IN, 12V dc OUT / 2.5A 1.6kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingangsspannung: 18 → 75 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Ausgangsspannungs-Einstellbereich: ±10 (Minimum)%, Gehäuse: 1 x 1 in, Isolationsspannung: 1.6kV dc, Tiefe: 10.4mm, Länge: 25.4mm, MPN: JTK3048S12
    • ams OSRAM OSRAM, OSLON Black IR-Diode 2000mW, 860nm, 630 → 1000mW/sr, ±45 °, 3-Pin, SMD, Abmessungen: 3.85 x 3.85 x 2.29mm, Linsenform: Dom, MPN: SFH 4715AS-EA
    • HARTING Rundsteckverbinderkontakt Signal, für Steckverbinder Har-Speed M12, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur (max.): +85°C, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: 21011009014
    • ams OSRAM OSRAM, MIDLED IR-Diode 40mW, 860nm, 40 → 125mW/sr, ±10 °, 2-Pin, SMD, Abmessungen: 3.3 x 2.35 x 1.7mm, Linsenform: Rund, MPN: SFH 4651-UV
    • RF Solutions ANT-GFPCB GSM-Antenne, 4G (LTE), Auflagefläche, UFL, selbstklebend, Rundstrahlantenne, 8dBi, Frequenzbereich: 700 → 960, 1800 → 2700 MHz, Anschlusslänge: 0.15m, MPN: ANT-GFPCB2180-UFL
    • Legris 7892, G3/8 Pneumatik-Magnetventil, Pneumatisch/Pneumatisch-betätigt, Montageart: Einzelplatzinstallation, Gehäusematerial: Vernickelt Messing, Polymer, Betriebsdruck (min.): 1bar, Betriebsdruck (max.): 10bar, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebstemperatur (min.): -5°C, Gewindegröße: 3/8Zoll, MPN: 7892 10 17
    • Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

    Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

    Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75.

    • Eaton MGE UPS Systems USV-Kabel für Ebm-Turm, Tiefe: 2m, MPN: EBMCBL240T
    • Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

    Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75

    Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 1,5 A PowerPAK SC-75.

    • Eaton MGE UPS Systems USV-Kabel für Ebm-Turm, Tiefe: 2m, MPN: EBMCBL240T