STMicroelectronics MDmesh STP18NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 295 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 15.75mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh STP18NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics MDmesh STP18NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220 | |
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