STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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