Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2.2V
Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 750 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263) | |
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