Infineon 600V CoolMOS P7 IPL60R365P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
About The Infineon 600V CoolMOS P7 IPL60R365P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Infineon 600V CoolMOS P7 IPL60R365P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 600V CoolMOS P7 IPL60R365P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
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Specifications of Infineon 600V CoolMOS P7 IPL60R365P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8 | |
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