onsemi NTR4170NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 480 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi NTR4170NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 480 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi NTR4170NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 480 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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