Infineon HEXFET IRFL4315TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 185 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRFL4315TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon HEXFET IRFL4315TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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