Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 e+006 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
Specifications of Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |