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Texas Instruments LM3478 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Stromregler

About The Texas Instruments LM3478 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Stromregler, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: LM3478EVAL/NOPB

Texas Instruments LM3478 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Stromregler, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: LM3478EVAL/NOPB

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Specifications of Texas Instruments LM3478 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Stromregler

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Texas Instruments LM3478 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Stromregler
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NXP Einfach Varactor für Tuner, VCO 1 Elem./Chip, 28.2pF 6V Abstimmverhältnis 2.5 2-Pin, Montage-Typ: SMD, Gehäusegröße: SOD-523, Abstimmverhältnis Prüfbedingungen: 0.2 → 2.3V, Abmessungen: 1.25 x 0.85 x 0.65mm, Länge: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: BB202,115
    • Infineon IGBT-Modul / 650 A ±20V max., 1200 V 2,25 kW, 5-Pin 62MM-Modul N-Kanal, Konfiguration: Single, Montage-Typ: Tafelmontage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 106.4 x 61.4 x 36.5mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FZ400R12KE3
    • Texas Instruments LM5117 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Abwärts-Controller, Kit-Klassifizierung: Evaluierungs-Modul, MPN: LM5117EVAL/NOPB

    Texas Instruments LM5117 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Abwärts-Controller, Kit-Klassifizierung: Evaluierungs-Modul, MPN: LM5117EVAL/NOPB

    Texas Instruments LM5117 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Power Management IC Development Kit Abwärts-Controller.

    • Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 107.5 x 45 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15
    • Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 107.5 x 45 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15