reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

About The : 0,003 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,003 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8
More Varieties

Rating :- 9.76 /10
Votes :- 40