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Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 3mA Mit Ferrit-Kern, 1206 (3216M) Gehäuse 3.2mm / ±25%

About The Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 3mA mit Ferrit-Kern, 1206 (3216M) Gehäuse 3.1mm, Tiefe: 1

Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 3mA mit Ferrit-Kern, 1206 (3216M) Gehäuse 3.2mm / ±25%, Gleichstromwiderstand max.: 30mΩ, Abmessungen: 3.2 x 1.6 x 1.1mm, Tiefe: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -40°C, Geschirmt: Nein, MPN: 742792114

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 3mA Mit Ferrit-Kern, 1206 (3216M) Gehäuse 3.2mm / ±25%

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Specifications of Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 3mA Mit Ferrit-Kern, 1206 (3216M) Gehäuse 3.2mm / ±25%

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Panasonic ERJ12Z Dickschicht SMD-Widerstand 4.7Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ12ZQF4R7U
    • Panasonic ERJ12Z Dickschicht SMD-Widerstand 2.2Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ12ZQF2R2U
    • BM Polyco Reflex Arbeitshandschuhe, Größe 9, L, Allgemeine Anwendungen, Para-Aramid Blau 1Paar Stk., Handschuhbeschichtung: Latex, MPN: 8703T
    • Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 3,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 3,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C