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Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : ±20 V, Länge: 10.Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Bourns SDR1006 Drosselspule, 47 μH 1.25A mit Ferrit DR-Kern, 1006 Gehäuse 9.8mm / ±10%, 8MHz, Höhe: 5.8mm, Abmessungen: 9.8 x 9.8 x 5.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 170mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: SDR1006-470KL
    • onsemi LSTTL Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended Single Ended

    onsemi LSTTL Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended Single Ended' ESR 14-Pin

    5mm, MPN: MC74VHCT50ADR2G.: -8mA, Signalverzögerungszeit @ max.onsemi LSTTL Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended Single Ended' ESR 14-Pin, Anzahl der Kanäle: 6, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel max.

    • Schneider Electric Harmony XAW Steuerstation-Schalter Rot Metall, IP 65, Kontaktanordnung: 1NC + 1NC, MPN: XAWF178EX
    • RS PRO Linsenkopf Innensechskantschraube, Stahl, 3/8-16 x 3/8-16Zoll, 3/4Zoll, Metrisch oder zöllig: zöllig, Kopfform: Innensechskant Linsenkopf
    • RS PRO Linsenkopf Innensechskantschraube, Stahl, 3/8-16 x 3/8-16Zoll, 3/4Zoll, Metrisch oder zöllig: zöllig, Kopfform: Innensechskant Linsenkopf