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TE Connectivity STRATO-THERM Ringkabelschuh, Isoliert, Orange, Aussen ø 7.14mm, Innen ø 3.68mm, Max. 1.65mm², M3.5

About The 5, Minimale Drahtgröße (mm2): 0.26mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 16AWG, Minimale Drahtgröße (AWG): 22AWG, Kontaktmaterial: Nickel, Gesamtlänge: 14

1.65mm², M3.5, Minimale Drahtgröße (mm2): 0.26mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 16AWG, Minimale Drahtgröße (AWG): 22AWG, Kontaktmaterial: Nickel, Gesamtlänge: 14.58mm, MPN: 321889 TE Connectivity STRATO-THERM Ringkabelschuh, Isoliert, Orange, aussen ø 7.14mm, innen ø 3.68mm, max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Drahtanschlussklemmen & Spleiße > Ringkabelschuhe

TE Connectivity STRATO-THERM Ringkabelschuh, Isoliert, Orange, Aussen ø 7.14mm, Innen ø 3.68mm, Max. 1.65mm², M3.5

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Specifications of TE Connectivity STRATO-THERM Ringkabelschuh, Isoliert, Orange, Aussen ø 7.14mm, Innen ø 3.68mm, Max. 1.65mm², M3.5

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EA Elektro-Automatik Digital Labornetzgerät 0 → 320W, 0 → 80V / 0 → 10A, ISO-kalibriert, Kalibriert: ISOCAL, Versorgungsspannung: 90 → 264V ac, Temperatur max.: +50°C, MPN: EA-PSI 9080-10 DT
    • Philips Lighting LED Lichtleiste, 230 V / 73 W, 65 mm x 65 mm x 1,75 m, Leistentyp: Einfach, Typ: LED-Leuchte, Nennspannung: 240 V, Korrosionsschutz: Nein, MPN: 911401826381
    • Vishay IRF9520PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 6.8 A 60000 mW, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.01mm, Länge: 10.41mm
    • Vishay IRF510PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5.6 A 43000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Vishay IRF510PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5.6 A 43000 mW, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C