IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T600N04T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 5.7mm
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IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T600N04T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD
Specifications of IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T600N04T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD | |
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