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Onsemi PowerTrench FDD850N10L N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,7 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 96 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.39mm, Länge: 6

onsemi PowerTrench FDD850N10L N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,7 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 96 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench FDD850N10L N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,7 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi PowerTrench FDD850N10L N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,7 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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