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Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

About The 5µs, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 40A, MPN: S1G R2.1V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 1

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Switching, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 1.1V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 1.5µs, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 40A, MPN: S1G R2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

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Specifications of Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

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Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
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onsemi PWM-Controller 1 MHz 5,25 V 10 A 1-Ausg., Steuerart: Spannung, Abfallzeit: 200ns, Montage-Typ: SMD, Gehäusegröße: PQFN, Pinanzahl: 35, Topologie: Buck, Abmessungen: 6 x 6 x 0.75mm, Tastverhältnis max.: 50%, Länge: 6mm, PWM Controller-Typ: Strommodus, MPN: FAN65008B
    • Elka Gb Wiederverwendbar Overall Art Latzhose, Größe S, Wasserbeständig, MPN: E0110/O/S

    Elka Gb Wiederverwendbar Overall Art Latzhose, Größe S, Wasserbeständig, MPN: E0110/O/S

    Elka Gb Wiederverwendbar Overall Art Latzhose, Größe S, Wasserbeständig.

    • Infineon LogicFET IRL530NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350нм → 950нм / 350μA, 2-Pin, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 350µA, Dunkelstrom max.: 3nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120°, Abmessungen: 2.1 x 1.35 x 0.9mm, Kollektorstrom: 20mA, Wellenlänge max.: 950nm, Wellenlänge min.: 350nm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 350 → 950 nm, Länge: 2.1mm, MPN: SFH 3710-2/3-Z
    • ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350нм → 950нм / 350μA, 2-Pin, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 350µA, Dunkelstrom max.: 3nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120°, Abmessungen: 2.1 x 1.35 x 0.9mm, Kollektorstrom: 20mA, Wellenlänge max.: 950nm, Wellenlänge min.: 350nm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 350 → 950 nm, Länge: 2.1mm, MPN: SFH 3710-2/3-Z