Infineon LogicFET IRL530NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon LogicFET IRL530NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon LogicFET IRL530NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB | |
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